RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3104
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link