RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
20.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
4247
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link