RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
76
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
76
Velocità di lettura, GB/s
12.8
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1260
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link