RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3060
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link