RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
13.3
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3796
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link