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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
49
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
37
Velocità di lettura, GB/s
10.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2804
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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