RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
49
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
43
Velocità di lettura, GB/s
10.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
2928
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link