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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
51
Intorno -183% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
18
Velocità di lettura, GB/s
9.8
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
3814
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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