RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
66
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
66
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
1912
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link