RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
44
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
32
Velocità di lettura, GB/s
11.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3279
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link