RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
11.2
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3771
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link