RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
44
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
35
Velocità di lettura, GB/s
11.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3415
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link