RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
44
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
26
Velocità di lettura, GB/s
11.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3715
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY32GX3M4A1600C9 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link