RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
126
Intorno 61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
126
Velocità di lettura, GB/s
10.1
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
1108
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link