RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
10.4
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
3895
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link