RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
59
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.4
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
59
Velocità di lettura, GB/s
10.4
9.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
2128
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link