RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
33
Velocità di lettura, GB/s
8.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2945
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link