RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
54
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
35
Velocità di lettura, GB/s
9.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3099
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link