RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
54
Intorno -157% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
21
Velocità di lettura, GB/s
9.2
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3380
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link