RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Confronto
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
51
Intorno -168% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
19
Velocità di lettura, GB/s
10.2
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2049
3165
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link