RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.0
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3379
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link