RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
63
Intorno 57% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
63
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
1863
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link