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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3049
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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