RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
43
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
43
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2128
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link