RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3434
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link