RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
67
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
67
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1798
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link