RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
65
Intorno -160% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,574.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
25
Velocità di lettura, GB/s
3,858.9
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,574.4
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
607
2931
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link