RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
1,574.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
3,858.9
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,574.4
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
607
3635
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link