RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
74
Intorno -80% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
41
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3073
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
OCZ OCZ3RPR13332G 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link