RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
74
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5.3
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
45
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
5.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
1535
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link