RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
73
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
29
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3408
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link