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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
73
Intorno -170% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
27
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2186
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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