RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
69
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
41
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3731
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link