RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
64
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
30
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
3208
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link