RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
54
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
54
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.9
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2389
2511
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link