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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
53
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
15.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
53
Velocità di lettura, GB/s
15.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2767
2301
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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