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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
38
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
13.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
38
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
13.0
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2987
2944
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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