RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
37
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
13.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2987
2422
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link