RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Confronto
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
42
Velocità di lettura, GB/s
15.5
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2848
2597
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link