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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
33
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2264
2987
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
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Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
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