RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
38
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
37
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2898
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link