RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
34
Velocità di lettura, GB/s
15.5
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3184
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Mushkin 991659 (996659) 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link