RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
38
Intorno -3% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
37
Velocità di lettura, GB/s
15.5
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2389
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link