RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
11.9
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3178
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Mushkin 994083 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link