RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
25
Velocità di lettura, GB/s
11.9
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2792
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link