RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
74
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
74
Velocità di lettura, GB/s
11.9
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
1679
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link