RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
45
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
21
Velocità di lettura, GB/s
11.9
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
4293
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link