RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
33
Velocità di lettura, GB/s
11.9
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3116
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link