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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
12.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
3199
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
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AMD R7S44G2606U1S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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