RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
46
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
25
Velocità di lettura, GB/s
12.2
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
4174
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link